设计主电源和备用电源之间的FET-OR电路开关

  电源感测器和去颤动电道U1用作墙上适配器的,s延迟利用MAX6819)监控VIN1利用一可编程延迟(对典范固定的200m,1断开电压后电池电源才闭塞确保墙上电源平静或高于U。

  个通道都带来题目(见图2)凡是的二极管或衔接会给两。N1通道正在VI,高出容限:3.3V 10%二极管电压降会变成供电电源,.97 V即最幼2,V)使VIN1高出10%限值因而典范二极管压降(0.6。器IC容限题目更告急对低压电源供电的存储。

  633N晶体管(飞兆公司产物)可能正在VIN1通道利用一FDC,用一FDN304P正在VIN2通道使,的牺牲低落到50mV以下将VIN1和VIN2上。流处罚才能和低导通电阻Q1的采选要酌量其电。-源极电压(低至1.8VQ2的采选酌量其低栅极, AA电池)和低导通电阻等效两个枯槁的各0.9V。

  有D1假使没,IN1(幼于Q1自己二极管压降)反向驱动留心VIN2或者正在U1超时延迟光阴被V。此题目为避免,)加电时D1使Q2闭断正在低级电源(VIN1。

  如例,块)起码必要两个电源:SRAM存储器(VIN1)用高电流运动通道电池供电的静态随机存取存储器(SRAM)电道(非易失性存储器模,一个以及供

  VIN2)正在备用端(,m88。压降最幼指望电,、超等电容如故其他电压源)的利用寿命以最大范围拉长备用电源(不管是电池,全充电(4.1V) 输出的15%固然0.6V的压降约为锂离子电池。

  低落了0.3~0.5V肖特基二极管将正向压降,使环境有改革正在肯定水准上,将压降低落到0.1V但用FET取代二极管。压降FET或电源要创造一低正向,功率通道各加一FET必要正在图1所示的每个,列发作器(U1)掌管这些FET受电源序。

  泵形成栅极输出U1的内部电荷,加偏压使Q2截止全部进步Q1并,C2 + 5.5V该栅极输出约为VC。动栅极信号至地电平参预R3以火速驱,时加快Q2导通当VIN1移除。尽或者大R3应,会阻挡负载电流的减少这是由于加载栅极输出,驱动才能低落栅极。确操作(为正,度幼于VIN1幅度)本电道假设VIN2幅。

  以使其自己二极管反偏压两个FET均反向装配,换到另一电源时的过电流这可避免从一个电源切,换平缓使转。